SAT100等離子去膠機（Plasma）是一種利用低溫等離子體技術(shù)，以干法方式高效去除晶圓、基板或其他材料表面光刻膠及有機污染物的專用設(shè)備。  

主要特點：  

1.實時檢測和顯示真空度,使得機器在智能控制下有了可靠的依據(jù).  

2.真空值可自由設(shè)定,(范圍:10—60帕)為外加氣體提供了可靠的輝光啟動環(huán)境,為輝光純度提供了有利的保障,保證了實驗效果的準(zhǔn)確性和可靠性.  

3.真空腔體采用鉸鏈側(cè)開門結(jié)構(gòu)，帶有觀察窗，材料為6061材質(zhì).  

4.真空腔體、管路、閥體全部為不銹鋼材料.  

5.電容式（CCP）激發(fā),實驗效果穩(wěn)定,均勻可靠,電極板置于樣品倉內(nèi)頂部懸掛.  

6.薄膜按鍵+液晶屏顯示控制,手動自動兩種模式任意切換.  

7.程序化設(shè)計，預(yù)先編輯好程序，儀器自動完成實驗.  

8.利用氣體電離后產(chǎn)生的等離子體的反應(yīng)活性與材料表面發(fā)生的物理或者化學(xué)反應(yīng)，使材料表面成分、組成和結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，并能得到某些特定的基團(tuán)。  

9.無需任何耗材，使用成本低，無需特殊進(jìn)行維護(hù)，在日常使用中保持儀器清潔即可。  

技術(shù)規(guī)格參數(shù)：

工藝流程：

1.裝片：將完成光刻工藝（曝光、顯影）后、需要去掉抗蝕層的基片放入反應(yīng)腔內(nèi)的卡盤上。  

2.抽真空：抽走空氣，達(dá)到所需的起始真空度。  

3.通反應(yīng)氣體：通入設(shè)定流量比例的氣體。  

4.施加射頻功率：啟動射頻源，擊穿氣體產(chǎn)生輝光放電，形成等離子體。  

5.去膠反應(yīng)：在設(shè)定好的壓力、功率、溫度下，等離子體與抗蝕層發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性氣體并被抽走。時間從幾秒到幾分鐘不等。  

6.過程終點檢測：可通過光學(xué)或時間模式判斷膠是否完全去除。  

7.停功率與排氣：關(guān)閉射頻源，停止供氣，用惰性氣體沖洗腔體，去除殘留反應(yīng)物。  

8.破空與取片：腔體恢復(fù)常壓，取出基片。  

主要應(yīng)用：  

1.光刻后去膠：去除光刻顯影后、離子注入/刻蝕/金屬沉積等工序完成后的光刻膠掩模。這是最核心應(yīng)用。  

2.聚合物殘留去除：去除其他工序后殘留的微量有機污染物。  

3.表面活化/清洗：提高金屬、塑料、陶瓷等材料表面的親水性。  

4.表面改性：改變材料表面化學(xué)性質(zhì)。  

5.MEMS和封裝：用于MEMS結(jié)構(gòu)釋放、去除犧牲層、封裝前清洗等。  

6.研究開發(fā)：實驗室用于表面處理研究。